Micron社はXJTAG社と協調して、革新のメモリ技術である相変化メモリ（Phase Change Memory）のプログラミング環境を開発しました。XJTAG社が提供する高速Flashプログラミング機能であるXJFlashで、PCMへの書込みを最大限に加速します。
Micron社の相変化メモリ（PCM）は、NAND / NORフラッシュ、DRAM、EEPROMなどの代替品の読み取りおよび書き込み性能に匹敵する、革新的な不揮発性メモリの技術です。 NORフラッシュと同様に読み取りレイテンシが低く、DRAMの読み取り帯域幅と一致します。 書き込み速度はNANDフラッシュと同等ですが、個別の消去サイクルが必要ないという利点があります。
“PCMはNOR、NAND、DRAMの最も良い部分を一つにまとめる非常に魅力的なメモリ技術です” Micron社Senior Director of Marketing, Jeff Bader氏
その開発に際してMicron社のPCM設計担当者は、顧客が製品開発あるいは製造ラインで効率良くプログラミングできる手段を必要としていました。そしてPCMはリフローはんだの後からプログラミングされることから、インシステムプログラミングが要求されていました。
インシステムプログラミングはFlashメモリのような不揮発性メモリに対して、製造工程でテスト対象基板を起動する目的や、製品プログラムの書込み、フィールドでのソフトウエアアップデートを目的に採用されています。このようなFlashメモリへのインシステムプログラミングはJTAG（IEEE 1149.1）接続を介した、バウンダリスキャンテストシステムでサポートされます。
ただJTAGチェイン長とTCKのクロック速度などデバイスのタイプによっては、JTAG接続による不揮発性メモリへの単一書込みサイクルに60µs以上を要することも少なくありません。このレートでは128 Mbitの Flashメモリへのプログラミングには8分以上かかることになります。それゆえJTAGを用いたインシステムプログラミングは、非常に小さなデータイメージに用途が限られていました。
しかしながらXJTAG社のJTAGバウンダリスキャンシステムは、そのユニークなXJFlash 機能により、ターゲット基板に実装されるFPGAやCPUのJTAGを介して、Flashメモリへの高速書込みが行えます。これはJTAGシリアルインターフェイスのバンド幅の制約を克服して、実用上最大限の速度でプログラミングを行います。例えば128 Mbitの Flashメモリには20秒以下でプログラミングが可能であり、単一書込みサイクルは2µs以下です。
XJFlash を組み込んだIPによって、20秒以上のプログラミング速度を達成できました。これはMicron社の仕様に匹敵します。“PCMは新しい技術であり、採用される顧客を支援する強固なエコシステムは欠かすことができません。XJTAG社のプログラミング機能のお陰で、PCMを量産環境に提供し易くなったことに満足しています” Jeff Bader氏
このXJTAGバウンダリスキャンシステムへの拡張は、Micron 社PCMへの最速のインシステムプログラミング機能を提供します。そしてBGAやFPGA、NVMデバイスを搭載する製品ライフサイクルに渡って、別のプログラミングツールを用意する必要無く、基板のデバッグやテスト、プログラミングに活用することができます。
不揮発性メモリへの高速プログラミング機能についてのホワイトペーパーは、XJTAG Webサイト（old.xjtag.com）から入手できます。White paperのダウンロードはこちら
